一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置

本发明涉及一种半导体材料领域，尤其涉及一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置。要解决的技术问题是：氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷。本发明的技术方案为：一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置，包括有工作台、承接板、密封罩和外罩壳等；工作台上方安装有承接板。本发明达到了使光刻胶的顶部区域形成多组V字型槽，由于V字型槽的两侧壁为斜面，斜面面积大于现有矩形槽的竖直平面面积，从而实现增大光刻胶的刻蚀面积，并且V字型槽减少底部光刻胶裸露在有氧环境的面积，极大地避免了氧气在底层光刻胶与薄膜材料接触的条件下与薄膜材料反应形成球状缺陷的情况的效果。

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