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一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法
发布时间: 2024-07-11
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
制造业
成果介绍
光伏太阳能装置利用半导体器件将阳光直接转化为电能，成为未来最有前途的清 洁 能 源 之 一 。光 伏 ( P V ) 器 件 不 会 产 生 噪 音 或 者 污 染 ，也 不 需 要 运 输 ，而 且 太 阳 能 是 取 之 不 尽，用之不竭的。每年，太阳向地球发射1 .52×1021千瓦时的能量，是全球能源消耗的10000 倍。尽管光伏发电有着诸多的优点，但光伏发电的成本较高，约为16美分/千瓦时，这使得他 很难被广泛使用，这个成本大约是电网电力的2~4倍。所以使用低成本、低纯度和低质量的 材料，才能带来光伏领域快速发展的前景。
成果亮点
本发明公开了一种Si基双面电池隧道结的 结构及其制备方法，包括:N型Si衬底和N型 AlxGa1‐xAs层;N型Si衬底的上下表面分别掺杂形 成P+型Si层和N+型Si层，P+型Si层上依次形成有 N+型Si隧道结层和N型Si层;N型AlxGa1‐xAs层的 上下表面分别掺杂形成P+型AlxGa1‐xAs层和N+型 AlxGa1‐xAs层，N+型AlxGa1‐xAs层上形成有N型Si 层;N型Si衬底的N型Si层与N型AlxGa1‐xAs层的N 型Si层键合连接，形成N型Si键合层;P+型 AlxGa1‐xAs层和N+型Si层上分别形成减反射膜和 透明导电薄膜，上下的透明导电薄膜上分别形成 正面电极和背面电极。本发明通过沉积隧道结来 实现AlGaAs电池与Si电池的集成，其提高了吸收 系数且降低了Si片的厚度，从而降低了成本，有 利于柔性太阳能电池的制备。
从中短期来看，降低光伏发电成本主要就是降低晶体Si(c‐Si)太阳 能电池的生产价格。尽管c‐Si具有优异的电子电荷传输性能，但作为光伏材料来说，它有两个缺点。针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种Si基双面电池隧道结的结
团队介绍
"北京工业大学先进半导体光电技术研究所
是依托北工大激光工程研究院（现：材料与制造学部）建设，以王智勇教授为牵头，由美、德、日、英等归国科学家组成，致力于化合物半导体科学、技术及应用工程的高水平实验室。
经过三十余年的积累与沉淀，研究所已掌握包括半导体材料外延生长、芯片制程、芯片封装、光束准直及整形、整机集成等半导体器件制造核心技术，在多个前沿领域取得重大技术突破，并实现丰硕的产业化成果。
截至目前，研究所被评为：
国家级：国家产学研激光技术中心
教育部：跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室
北京市：北京市激光应用技术工程研究中心
北京市：激光先进制造北京高等学校工程研究中心
成果资料
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