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一种Micro LED芯片的激光辅助快速转移方法
发布时间: 2024-07-11
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新型电子元器件
成果介绍
微型发光二极管(Micro LED)指在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列，每 个Micro LED像素都能够经过单独寻址和驱动，具有自发光、分辨率高、可视角度大、亮度 高、使用寿命长、响应时间短、低功耗等诸多优势，因此被认为是颠覆产业的新一代显示技 术。Micro LED芯片在制作完成之后，需要将几万至几百万个Micro LED芯片转移至驱动电 路板上，这一过程被称为巨量转移。由于Micro LED芯片尺寸基本小于50μm，且数量十分巨 大 ，如 何 提 升 转 移 良 率 至 9 9 . 9 9 9 9 % 和 控 制 且 每 颗 芯 片 转 移 精 度 在 正 负 0 . 5 μ m 以 内 ，并 保 持 极高的转移效率，成为Micro LED技术产业化过程中的核心技术难题。
针对现有技术中存在的不足之处，本发明提供一种快速、高精度、高良率、低成本 的Micro LED芯片的激光辅助快速转移方法。
成果亮点
本发明公开了一种Micro LED芯片的激光辅 助快速转移方法，包括:将衬底上的Micro LED芯 片刻蚀成非对称形状，采用超短脉冲激光束辐照 Micro LED芯片，使GaN层发生改性;并将其置于 腐蚀液中并加热，剥离衬底;将剥离后的Micro LED芯片置于悬浮液中，中间模板的微结构凹槽 捕获流经的Micro LED芯片;将目标基板置于中 间模板的正上方，使目标基板上的芯片安装位与 中间模板捕获的Micro LED芯片位置对准，翻转 吸附后中间模板与目标基板，使Micro LED芯片 落入目标基板的芯片安装位处。本发明可实现 Micro LED芯片的快速、高精度、高良率转移，同 时具有较低技术成本。
团队介绍
"北京工业大学先进半导体光电技术研究所
是依托北工大激光工程研究院（现：材料与制造学部）建设，以王智勇教授为牵头，由美、德、日、英等归国科学家组成，致力于化合物半导体科学、技术及应用工程的高水平实验室。
经过三十余年的积累与沉淀，研究所已掌握包括半导体材料外延生长、芯片制程、芯片封装、光束准直及整形、整机集成等半导体器件制造核心技术，在多个前沿领域取得重大技术突破，并实现丰硕的产业化成果。
截至目前，研究所被评为：
国家级：国家产学研激光技术中心
教育部：跨尺度激光成型制造技术教育部重点实验室
北京市：北京市激光应用技术工程研究中心
北京市：激光先进制造北京高等学校工程研究中心
成果资料
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