科创中国
自屏蔽三维交指电容器
发布时间: 2024-05-09
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术
成果介绍
随着高数据率无线传输技术的发展，通信系统的工作频率越来越高，通信系统中射频系统芯片性能对器件的寄生和器件间耦合变得愈发敏感，这使得现在射频系统芯片的设计愈发复杂使用具有低寄生和低器件间耦合特性的高品质因数器件能够大幅简化设计流程，缩短设计周期，降低研发成本。片上电容器作为最常用的器件之一，在射频系统中被广泛用于实现阻抗匹配、退耦、隔直等功能。在现有的片上电容器中,多数技术仅涉及到降低寄生和提高品质因数的方法,而较少有降低邻接电容署之间耦合的技术。
成果亮点
图2展示了自屏蔽三维交指电容器的立体和平面剖视图。其电容值主要由各金属层之间的水平方向容性耦合贡献，因此，垂直方向上通过有损介质的容性合较弱，从而避免了介质损耗对品质因数的降低。连接外圈堆叠金属的额外堆叠金属环可以内嵌入内圈堆叠金属，从而形成互相嵌套的三维交指结构。堆叠金属环具有较低的金属电阻以及较低的寄生电感效应，使得自屏蔽三维交指电容器具有较高的品质因数。
团队介绍
联系人： 庄老师
电话：15295039286
单位名称： 武进区科技成果转移中心
成果资料
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