科创中国
基于介质集成缺陷地结构的带通滤波器
发布时间: 2024-05-09
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术
成果介绍
缺陷地结构是在接地金属板上刻蚀周期或非周期的栅格结构以获得带阻特性或者慢波特性。作为微波无源电路领域一个经典结构，在无线通信系统中被大量应用。然而由于传统缺陷地结构辐射损耗比较大，还需要足够大的接地平面保证其谱振特性的稳定。这些缺点都极大的展制了缺陷地结构的应用。
成果亮点
为了克服传统缺陷地结构的缺点，扩大该结构的立用范围。提出了一种介质集成缺陷地结构，相比于专统缺陷地结构，在缺陷结构的底部增加了额外一层电平面，此外，通过缺陷结构周围的通孔保证地平面的良好连接性。该种结构保留了传统缺陷地结构的物里特性，又有效的将大部分电磁场限制在介质之中大大减少了其辐射损耗，极大的提高了缺陷地结构与其他结构的之间的电磁隔离度。
团队介绍
联系人： 庄老师
电话：15295039286
单位名称： 武进区科技成果转移中心
成果资料
下载app