科创中国
基于电阻型存储器的存内计算芯片
发布时间: 2024-05-08
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术
成果介绍
人们追求更先进数据存储计算融合技术的脚步从来没有停止过，新一代存储器:电阻型存储器件(Resistive(amdam Access Memory:RRAN)非易挥发、低功耗、低成本、超大容量和更快响应速度，是非常有潜力进行存内计算的存储器，全球顶尖的存储器厂商和大学都在进行此方面的研究。我方团队已经在此方向研究 10余年，当前已具备很强的设计能力。
成果亮点
主要创新指标如下:
RRAM 存内计算系统单片集成(55OSHRRAN)
支持 *** 位精度(国际领先)
支持智能图像识別CN 系列神经网络算法
单片集成超过 1百万 照A 存储单元
算力功耗比50T'T @single Bit :8T/mgbit
我们以 C0s 55nm的工艺完成了设计。艺片的基本运算单元是忆阻器阵列。芯片集成128 个基于存储阵列的运算单元。數据由输入模块输入，由路由模块安持数据分发，由存储计算块完成存储和计算，计算结果由物出模块输出。可实现8位精度的神经网络智能识别算法，达到当前存内计算的国际领先水平。
团队介绍
联系人： 庄老师
电话：15295039286
单位名称： 武进区科技成果转移中心
成果资料
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