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掺杂β-Ga2O3/P型金刚石复合结构紫外探测器制备方法
发布时间: 2024-04-09
来源: 科技服务团
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新型电子元器件
成果介绍
本发明的目的在于解决Ga2O3的散热差以及电子迁移率低的问题，提供散热好且电子迁移率高的掺 β-Ga2O3/P型金刚石的紫外探测器。
成果亮点
本发明的技术方案：
掺 β-Ga2O3和P型金刚石的紫外探测器，包括衬底、P型金刚石膜、薄膜、掺杂层和Ti/Ag电路；其特征在于：所述衬底为金刚石；所述衬底上表面设置P型金刚石膜，P型金刚石膜上面制备有薄膜；所述薄膜为 β-Ga2O3薄膜；薄膜上面制备有掺杂层，所述掺杂层为氮或钇掺杂 β-Ga2O3。
P型金刚石层的厚度是10 nm-30 nm； 掺杂层的厚度：氮掺杂层厚度为80 nm-130nm，钇掺杂层厚度为80 nm-100nm 。
掺 β-Ga2O3/P型金刚石的紫外探测器的制备方法, 掺杂元素为氮或钇；
团队介绍
王永胜，男，1982.12，陕西宝鸡人，博士，太原理工大学材料科学与工程学院，副教授，硕士生导师。研究方向：金刚石涂层制备及微观结构表征、TiAl合金涂层防护、高熵合金、半导体材料等领域。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2024-04-18
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