您所在的位置: 成果库 高电导率高迁移率n型密堆积纳米金刚石薄膜

高电导率高迁移率n型密堆积纳米金刚石薄膜

发布时间: 2023-11-20

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式: 技术咨询
成果类型: 新品种,新技术
行业领域:
新材料技术
成果介绍
单晶/微晶金刚石的n型掺杂困难,限制了其在电子工业中的应用。纳米金刚石具有小尺寸效应和表面效应等,是金刚石基器件研制值得探索的方向。常规纳米金刚石薄膜是由纳米金刚石晶粒和非晶碳晶界组成的复合结构。然而,非晶碳的跳跃导电特性限制薄膜的电学性能。本项目通过调控CVD生长工艺(ZL201810247215.1)、悬涂种晶工艺(CN202211549878.1)或常压高温退火(Carbon, 2022, 196, 466-473),发展了一系列方法,制备了非晶碳含量极少的晶粒密堆积新结构,命名为密堆积纳米金刚石薄膜,获得高迁移率n型电导。密堆积n型纳米金刚石薄膜未见国内外文献报道,具有突出的原创性和探索性。
成果亮点
制备出密堆积纳米金刚石薄膜:通过调控CVD生长工艺、悬涂种晶工艺或常压高温退火,获得含非晶碳极少的晶粒密堆积新结构的纳米金刚石薄膜。这种新结构的纳米金刚石薄膜未见国内外文献报道,具有较高的原创性和探索性。 高迁移率n型电导:传统上,单晶/微晶金刚石的n型掺杂困难,限制了其在电子工业中的应用。而本项目开发的密堆积纳米金刚石薄膜制备方法获得了高迁移率的n型电导。这对于金刚石在电子工业中的应用具有很大的潜力。 减少非晶碳的跳跃导电特性:常规纳米金刚石薄膜是由纳米金刚石晶粒和非晶碳晶界组成的复合结构。然而,非晶碳的跳跃导电特性限制了薄膜的电学性能。本项目通过制备密堆积纳米金刚石薄膜,减少了非晶碳含量,从而有效减少了非晶碳的跳跃导电特性,提高了薄膜的电学性能。 可应用于电子工业:密堆积纳米金刚石薄膜的高迁移率n型电导表明,该薄膜在电子工业中具有很大的应用潜力。其制备方法简单,可扩展性强,能够为金刚石在电子工业中的应用提供新的思路和方法。
团队介绍
胡晓君|浙江工业大学,博士 教授 博士生导师长期担任本科生的重要专业基础课《材料科学基础》的主讲教师,担任《化学化工软件》和《计算机在材料科学中的应用》等课程的主讲教师,取得了良好的教学效果。2006年获得学院青年教师讲课比赛一等奖。  长期主讲研究生课程《金属学原理》,根据研究生学习的特点,在课堂教学中,开展讨论式教学,将学科前沿研究进展与教学内容相联系,将研究思路与教学内容相联系,将研究方法与教学内容相联系,在深化学生专业基础知识的同时,对其研究思路和研究方法进行引导,为研究生进入课题研究奠定基础。  指导学生开展课外科技活动,通过完成课外科技活动项目,培养学生发现问题、分析问题和解决问题的能力;培养他们的书面和口头表达能力。指导本科生申报和完成了国家级大学生创新实验计划项目、校级大学生创新实验计划项目和校运河杯科技项目等。为研究生培养搭建了良好的项目平台和研究氛围。对研究生严格要求,精心指导,致力于全面提高研究生的专业素质和综合能力,为高科技产业输送人才。近年来培养的硕士生获得省级优秀毕业生、校级优秀毕业生、校级优秀硕士论文、校级运河杯课外科技竞赛二等奖等荣誉称号。
成果资料
产业化落地方案
点击查看
成果综合评价报告

评价单位:“科创中国”新材料产业科技服务团 (中国材料研究学会) 评价时间:2023-11-28

胡振鹏

国家石墨烯创新中心

秘书长

综合评价

该成果总体处于研发机制,技术成熟度在1~3级尚不具备中试及产业化的能力。
查看更多>
更多