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一种Micro-LED的器件结构
发布时间: 2023-11-16
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本实用新型涉及一种Micro LED的器件结构,属于半导体发光二极管技术领域。它依次包括衬底、石墨烯层、u GaN层、n GaN层、量子阱层、AlGaN层、P GaN层,所述的石墨烯层为沉积于衬底上,刻蚀形成的呈矩阵排列的方块形石墨烯掩膜结构,在石墨烯层上生长覆盖u GaN层。本实用新型采用图案化石墨烯层,可在GaN模板上选择性生长Micro LED结构,能有效降低不同层内的位错密度,避免刻蚀对Micro LED结构造成的侧壁损伤,提高器件性能和发光效率。
成果亮点
本实用新型针对现有技术存在的不足，提供一种能有效降低Micro-LED不同层内的位错密度，提高器件性能的Micro-LED的器件结构。
实现本实用新型发明目的的技术方案是提供一种Micro-LED的器件结构，它依次包括衬底、石墨烯层、u-GaN层、n-GaN层、量子阱层、AlGaN层、P-GaN层，所述的石墨烯层为沉积于衬底上，刻蚀形成的呈矩阵排列的方块形石墨烯掩膜结构，石墨烯层上生长覆盖u-GaN层。
本实用新型的一个优选方案是所述的方块形石墨烯掩膜结构，其方块的边长为1～5μm，相邻方块的间隔为5～30μm。
本实用新型采用在图案化石墨烯上生长的Micro-LED结构，其石墨烯层直接在衬底上通过PECVD沉积得到，刻蚀得到边长为1-5微米的方块形矩阵图案；再利用MOCVD直接外延得到厚度为3-5微米的u-GaN层，将石墨烯掩盖在u-GaN下方；改变生长气体源，依次沉积n-GaN层、量子阱层、AlGaN层、P-GaN层，得到了直接外延的极小Micro-LED的器件结构。
团队介绍
发明人：
李建洁 曹冰 蔡鑫 陶佳豪苏州大学坐落于素有“人间天堂”之称的历史文化名城苏州，是国家“211工程”“2011计划”首批入列高校，是教育部与江苏省人民政府共建“双一流”建设高校、国家航天局共建高校，是江苏省属重点综合性大学。苏州大学前身是Soochow University（东吴大学，1900年创办），开现代高等教育之先河，融中西文化之菁华，是中国最早以现代大学学科体系举办的大学。在中国高等教育史上，东吴大学是最早开展研究生教育并授予硕士学位、最先开展法学（英美法）专业教育，也是第一家创办学报的大学。1952年中国大陆院系调整，由东吴大学之文理学院、苏南文化教育学院、江南大学之数理系合并组建苏南师范学院，同年更名为江苏师范学院。1982年，学校更名苏州大学（Soochow University）。
成果资料
产业化落地方案
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