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液晶光栅及其制造方法

发布时间: 2023-11-14

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
高新技术改造传统产业
成果介绍
为实现高分辨率、大视场角的液晶器件，尤其是液晶显示器件，需要克服边缘场效应的影响。我们提出等效电容结构的电极以抑制边缘场效应。对于一维相位光栅，边缘场效应的表现是条状电极处的电场扩展到非电极区域，致使该处液晶分子排列紊乱，因此，我们器件设计的出发点是将电场局限在条状电极处，抑制其扩展。
成果亮点
我们设计的器件结构包含三层接地电极，接地电极67作为寻址电极的参考电位电极；接地电极62与接地电极64是条状电极，分别在相应的层面处与寻址电极63周期性的交错排列。下基板不同层的电极之间由透明电介质材料做到电学隔绝。当寻址电极上施加电压时，其与相邻的条状接地电极之间产生了水平方向的电场，这种结构阻断了边缘电场的扩展。并且，三层接地电极之间形成了两个等效的串联的电容（以接地电极2作为公用电极板）。这种等效电容结构进一步减小了由边缘场效应产生的等效电压。
团队介绍
联系人： 庄仙竹 电话：15295039286 单位名称： 武进区科技成果转移中心
成果资料