成果介绍
在北京市落实中央引导地方科技发展专项课题基于阻变存储器的阵列控制器芯片研发及示范应用的支持下,针对 SOC 应用中低功耗、低成本嵌入式存储器的发展瓶颈,开展嵌入式阻变存储器关键技术研究,采用新型嵌入式存储IP降低SoC中数据传输延迟,提升SoC的整体性能。通过本课题创新与实施,在 28nm 工艺节点下开发嵌入式阻变存储器 IP 模块,以大规模硬盘阵列控制器芯片为载体实现嵌入式阻变存储器 IP 的集成。存储器件擦写能力≥50k 次,85℃下的数据保持能力≥10 年,芯片性能满足:芯片读速度≤ 20ns,写速度≤ 50ns,读电流≤ 40uA,写电流≤80uA。
成果亮点
本项目产出的新型存储器器件结构、制造工艺、外围电路设计等相关自主核心知识产权,为我国在新型高密度存储材料与器件技术领域提供技术储备。通过产学研结合的模式,与中芯国际和华力合作开发了阻变存储器大规模集成工艺,建立了RRAM IP加工平台,为后续RRAM IP设计与优化提供了验证平台,进一步与华为签署了RRAM IP开发协议,将RRAM IP应用于智能手机及穿戴设备中。团队成果“先进节点嵌入式阻变存储器技术”获得华为奥林帕斯先锋奖。通过本课题的实施,与北京初志科技有限公司联合开发了开展RRAM与SoC系统内的嵌入式集成,完成了适配的RRAM存储接口控制电路设计与总线结构设计,实现了高速多路扩展SATA控制器芯片,集成6路SATA-III端口,满足***规范。该课题产出的SoC芯片经过了示范验证,未来成果将在北京市初志科技有限公司进行产品转化,进行批量市场销售,推动科技成果在北京市内优先转化,促进国内集成电路芯片产业升级。
团队介绍
“高新技术发展与战略管理”团队是以王宏起教授为带头人发展起来的黑龙江省高校哲学社会科学首批创新团队,现有教授5人、副教授5人、讲师3人。团队积极与黑龙江省科技厅等政府部门合作,为黑龙江省科技创新管理提供了一系列科技管理咨询服务,现已成为黑龙江省双一流学科、特色优势学科、黑龙江省“优秀”重点学科“管理科学与工程”学科及其博士点和博士后站的牵头方向。
成果资料