成果介绍
本申请公开了一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极及其制备方法,涉及电极材料技术领域。制备方法包括以下步骤:在经过反应离子刻蚀工艺处理后的高分子柔性基底表面磁控溅射一层金薄膜;其中,金薄膜的厚度为10‑40纳米,金薄膜具有微米和/或纳米尺度的裂纹结构。本申请用于提高柔性金膜电极的可拉伸性能。
成果亮点
1.一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在经过反应离子刻蚀工艺处理后的高分子柔性基底的表面磁控溅射一层金薄膜;其中,所述金薄膜的厚度为10-40纳米,所述金薄膜具有微米和/或纳米尺度的裂纹结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法,其特征在于,所述高分子柔性基底为SEBS高分子基底。
3.根据权利要求1所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法,其特征在于,所述裂纹结构为琐碎的岛状。
4.根据权利要求2所述的一种基于反应离子刻蚀的柔性可拉伸金膜电极的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤1:将SEBS溶液旋涂在基片上,静置至其挥发成膜,得到SEBS高分子基底;
步骤2:利用反应离子刻蚀工艺对SEBS高分子基底表面进行刻蚀;
步骤3:将金属掩膜版贴在经过刻蚀处理后的SEBS高分子基底的表面,并在其表面上磁控溅射一层金薄膜,所述金薄膜的厚度为10-40纳米,所述金薄膜具有微米和/或纳米尺度的裂纹结构,且所述裂纹结构为琐碎的岛状;
团队介绍
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