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一种薄膜制备方法及光电探测器
发布时间: 2023-11-09
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
发明专利
行业领域：
物理
成果介绍
本申请属于光电探测技术领域，特别是涉及一种薄膜制备方法及光电探测器。现有的光电探测器上的薄膜光利用效率低，限制了光电探测器的性能。本申请提供了一种薄膜制备方法，在温度小于250℃的条件下，通过加热锡材料源和硒材料源，使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。SnSe2二维薄膜材料直立式V型结构，其陷光效应十分显著，光利用效率极大地增强，对340nm至650nm波长的光的吸收超过90％，可有效提高探测器的光响应度及外量子效率。
成果亮点
权利要求
1.一种薄膜制备方法，其特征在于：在温度小于250℃的条件下，通过加热锡材料源和硒材料源，使得锡和硒蒸发后在衬底上纵向生长形成半导体纳米片阵列薄膜。
2.如权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于：采用分子束外延工艺在所述衬底上生长形成SnSex纳米片阵列薄膜；所述分子束外延工艺包括向分子束外延设备中分别加入高纯度硒材料源和高纯度锡材料源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒材料源和所述锡材料源，并将所述硒材料源以分子束或原子束的形式喷射至所述衬底上，同时将所述锡材料源以分子束或原子束的形式喷射至所述衬底上，形成SnSex纳米片阵列薄膜。
3.如权利要求2所述的薄膜制备方法，其特征在于：对所述衬底进行旋转，使得所述SnSex纳米片阵列薄膜均匀生长。
4.如权利要求1～3中任一项所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述半导体纳米片阵列薄膜为SnSe2二维薄膜材料直立式V型结构。
5.一种光电探测器，其特征在于：将所述权利要求1～4中任一项所述的薄膜应用于光电探测器。
团队介绍
中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力，推动我国自主知识产权新工业的建立，成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生AC态系统，由九个研究平台，国科大深圳先进技术学院，多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究，促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。
成果资料
产业化落地方案
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