成果介绍
本项目涉及一种横向PIN二极管。该器件包括SOI衬底(101);第一P区台阶(102)、第一N区台阶(103)、第二P区台阶(104)、第二N区台阶(105)、第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107),分别设置于SOI衬底(101)内并位于SOI衬底(101)的两侧;其中,第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)分别位于第一P区台阶(102)及第一N区台阶(103)的下侧;第三P区台阶(106)及第三N区台阶(107)分别位于第二P区台阶(104)及第二N区台阶(105)的下侧。本实用新型通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道,利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子浓度达到均匀,从而提高了横向PIN二极管的功率密度,增强了PIN二极管的固态等离子体特性。
成果亮点
本项目提供的PIN二极管通过在SOI衬底上制备多个台阶形成多层沟道,当在接触电极上外加正向电压时,利用两个沟道内高浓度载流子的叠加作用使得整个本征区内载流子 浓度达到均匀,从而提高了横向PIN二极管的功率密度,增强了PIN二极管的固态等离子体特性。
团队介绍
宁波市智能制造产业研究院是受浙江省省委省政府委托,由宁波市政府与智能制造领域专家团队共同筹建的具有集团性质的机器人及智能制造企业集群。宁研院总投资3亿元,致力于搭建技术研究与成果产业化的桥梁,以打造“浙江制造”为核心目标,积极创造机器人名牌产品,业务覆盖智能制造核心部件、机器人本体、产业应用等多个领域,通过3-5年时间成为宁波市智能经济发展的核心支撑平台。
成果资料