科创中国
一种GeSn隧穿场效应晶体管
发布时间: 2023-11-03
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,软件
成果介绍
本项目涉及一种GeSn隧穿场效应晶体管，该晶体管包括：衬底材料101、Ge层102、GeSn外延层103、栅介质层104、栅极层105、源区106以及漏区107；其中，所述Ge层102、所述GeSn外延层103、所述栅介质层104以及所述栅极层105依次设置于所述衬底材料101上；所述源区106和所述漏区107分别设置于所述N型GeSn外延层103两侧。本实用新型提供的GeSn隧穿场效应晶体管结构亚阈效应小，可以提高隧穿场效应晶体管器件的电流驱动。
成果亮点
本项目提供的GeSn隧穿场效应晶体管较于传统MOS器件，该结构亚阈效应小，可以解决短沟效应；相对于传统Si材料，GeSn材料的载流子迁移率提高了数倍有效的提高隧穿场效应晶体管的开态电流了，而且通过对Sn组分的调节使间接带隙材 料转化为直接带隙材料，增加载流子隧穿几率，从而提高了隧穿场效应晶体管器件的电流驱动。
团队介绍
宁波市智能制造产业研究院是受浙江省省委省政府委托，由宁波市政府与智能制造领域专家团队共同筹建的具有集团性质的机器人及智能制造企业集群。宁研院总投资3亿元，致力于搭建技术研究与成果产业化的桥梁，以打造“浙江制造”为核心目标，积极创造机器人名牌产品，业务覆盖智能制造核心部件、机器人本体、产业应用等多个领域，通过3-5年时间成为宁波市智能经济发展的核心支撑平台。
成果资料
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