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一种纳米孪晶铜微电感及其制备方法和应用
发布时间: 2023-10-30
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
发明专利
行业领域：
物理
成果介绍
一种纳米孪晶铜微电感及其制备方法和应用，属于微电子器件技术领域。本发明提供一种纳米孪晶铜微电感。纳米孪晶铜微电感的线圈结构为双层结构，包括底层和顶层，底层为平面线路的纳米孪晶铜，顶层为平面线路与纵向柱子的组合。纳米孪晶铜微观结构为柱状晶，柱状晶的晶粒直径为1～6μm，长度为2～50μm，柱状晶的内部存在孪晶片层，孪晶片层的间距为5～100nm。还提供了该纳米孪晶铜微电感的制备方法和应用。本发明使用化学机械抛光的方法保证了底层线圈的平坦化。顶层线圈采用的优化后的电沉积配方及工艺，可以同时填充平面线路和纵向柱子两种图形。顶层线圈柱子部分以底层线圈材料为基体电沉积可消除过渡层，晶面快速扩散使结合好。
成果亮点
1.一种纳米孪晶铜微电感，其特征在于所述纳米孪晶铜微电感的线圈结构为双层结构，包括底层和顶层，所述底层为平面线路的纳米孪晶铜，所述顶层为平面线路与纵向柱子的组合。
2.如权利要求1所述的一种纳米孪晶铜微电感，其特征在于所述纳米孪晶铜为柱状晶，柱状晶的晶粒直径为1～6μm，长度为2～50μm，柱状晶的内部存在孪晶片层，孪晶片层的间距为5～100nm。
3.如权利要求1所述的一种纳米孪晶铜微电感的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)准备衬底(1)，溅射种子层(2)，在种子层(2)上旋涂光刻胶(3)并进行图形化；
(2)电沉积底层线圈(4)，再进行表面抛光，溶解去除光刻胶(3)，刻蚀种子层(2)中未沉积的部分，涂覆绝缘材料(5)后进行图形化；
(3)在绝缘材料上制备磁芯(6)，再涂覆绝缘材料(7)并进行图形化，溅射种子层(8)，并在种子层上涂覆或黏贴光刻胶(9)并进行图形化；
(4)电沉积顶层线圈(10)，进行表面抛光，去除光刻胶(9)，并刻蚀种子层(8)中未沉积的部分，涂覆绝缘材料(11)，获得纳米孪晶铜微电感。
团队介绍
中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力，推动我国自主知识产权新工业的建立，成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生AC态系统，由九个研究平台，国科大深圳先进技术学院，多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究，促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。
成果资料
产业化落地方案
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