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锥状图形衬底的两次腐蚀制备方法
发布时间: 2023-10-26
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术
成果介绍
本发明提供了一种锥状图形衬底的两次腐蚀制备方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上沉积二氧化硅层或氮化硅层，利用光刻法形成掩膜图形；(2)将带有二氧化硅或氮化硅掩膜的衬底放入加热后硫酸和磷酸混合溶液中进行第一次腐蚀，去掉衬底上的二氧化硅氮化硅掩膜层，用纯水清洗完；(3)将第一次腐蚀完的衬底放入混合溶液中进行第二次腐蚀，取出后用纯水清洗，即得到蓝宝石锥状图形衬底。本发明通过两次腐蚀制备出锥状图形衬底，解决了圆台状图形衬底生长外延不易长平，外延层晶体质量差的问题，同时也增加了出光面积。
成果亮点
本发明通过两次腐蚀制备出锥状图形衬底，解决了圆台状图形衬底生长外延不易长平，外延层晶体质量差的问题，同时也增加了出光面积。
团队介绍
徐现刚，男，山东泰安人，1965年1月生，教授，博士生导师。自1989年一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作，制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格、2DEG，多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等，应用到多种半导体器件如：半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等。积极响应国家号召，践行产学研结合，服务地方服务山东，把科技创新的成果产业化；自2000年开始SiC单晶生长和加工工作，先后突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的单晶生长技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题，制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。
成果资料
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