本发明公开一种近红外LED器件及其制备方法,其中,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、空穴注入层、发光层、n型缓冲层、透明电极层和表面电极层,所述发光层包括Cu
成果亮点
权利要求
1.一种近红外LED器件,其特征在于,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、空穴注入层、发光层、n型缓冲层、透明电极层和表面电极层,所述发光层包括Cu2CdxZn1-xSnSe4,其中0≤x<1,所述发光层与所述n型缓冲层形成异质结。
2.根据权利要求1所述的近红外LED器件,其特征在于,所述空穴注入层的材料包括过渡金属氧化物,所述过渡金属氧化物包括氧化镍、氧化铜、氧化钨中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的近红外LED器件,其特征在于,所述n型缓冲层的材料包括硫化镉、硫化锌、氧化锌中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的近红外LED器件,其特征在于,所述透明电极层的材料包括氧化锌铝、氧化铟锡、氧化铟锌中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的近红外LED器件,其特征在于,所述衬底包括刚性衬底和柔性衬底中的一种,所述刚性衬底包括硅衬底、玻璃衬底中的至少一种,所述柔性衬底包括不锈钢衬底、聚合物衬底中的一种;
所述背电极层的材料包括钼、铝、银、金中的至少一种;
所述表面电极层的材料包括铜、铝、银、金中的至少一种。
团队介绍
中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力,推动我国自主知识产权新工业的建立,成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生态系统,由九个研究平台,国科大深圳先进技术学院,多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究,促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。
成果资料