一种化学掺杂碳制备高阻值埋嵌式电阻的方法

本发明公开了一种化学掺杂碳制备高阻值埋嵌式电阻的方法。通过采用阻值添加剂提供C源掺杂Ni‑P薄膜进行化学改性，制备了在树脂基板上沉积Ni‑P‑C的三元合金高阻值材料。经测试，该材料制备的方块电阻高达400Ω以上，通过辅予在线监控电阻器的方法，实现制备误差控制在10％以内的目标。

本发明公开的方法有效地解决了常规Ni‑P、Ni‑Cr等金属电阻存在的阻值小、功能值不稳定的难题，并降低了高频通信下信号传输的损耗与寄生效应。

全公司现有员工390余人，其中高学历专业管理和技术人员100余人。公司不断健全组织机构，优化提高员工技能和市场服务意识，为客户提供满意产品和完善售后服务。成为“标准化、专业化、国际化，具有可持续发展能力”的现代化企业，与客户间建立了长期和稳定的合作关系，是公司的宗旨和目标。