科创中国
一种基于多晶InSe生长In2O3纳米线的制备方法
发布时间: 2023-07-03
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
发明专利,新技术
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明公开了一种基于多晶InSe材料生长In2O3纳米线的制备方法，涉及纳米材料生长与纳米结构设计技术领域，其技术方案要点是：包括以下4个步骤,S1多晶InSe粉末材料的准备；S2多晶InSe块体材料的准备；S3多晶InSe薄片材料的准备；S4高温氧化制备In2O3纳米线。
成果亮点
该制备方法简单、便捷，样品得率高效稳定，所涉及的设备及耗材价格低廉，为In2O3纳米线生长与应用奠定了良好基础。
团队介绍
刘杰，张斌，周小元，郑思康
成果资料
下载app