本发明公开了一种复合磁场传感器及其制作工艺,其中,所述复合磁场传感器包括磁敏三极管和复合在磁敏三极管上的遂穿磁敏电阻(TMR);其中,所述磁敏三极管的集电区设置于发射区的上方,所述基区设置于发射区和集电区的一侧,且所述基区制作在硅腐蚀坑内,提高了基区载流子注入能力,进而提高磁敏三极管的磁敏特性;本发明所述制作工艺将微电子机械加工技术(MEMS)、双极型工艺和纳米薄膜制备技术相结合,得到所述复合磁场传感器。本发明所述复合磁场传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合,兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能,实现了对磁场的宽量程检测。
(1)本发明所述复合磁传感器将磁敏三极管与遂穿磁敏电阻进行有效结合,兼具磁敏三极管的较强磁场检测性能以及遂穿磁敏电阻的弱磁场检测性能,实现了磁场的宽量程检测;
(2)本发明所述复合磁传感器中的磁敏三极管不同于现有磁敏三极管,其采用重掺杂硅腐蚀坑作为基区,将磁敏三极管的最低检测磁场由500GS降至1GS,成功互补了磁敏三极管与遂穿磁敏电阻之间的磁场检测范围;
(3)本发明所述复合磁敏传感器结构简单,实现了芯片的小型化和集成化;
(4)本发明所述制作工艺简单,易于实现,适合规模化工业应用。
黑龙江大学(Heilongjiang University),位于黑龙江省哈尔滨市,是黑龙江省人民政府和中华人民共和国教育部、国家国防科技工业局共建的省属综合性大学,黑龙江省“双一流”建设国内一流大学A类高校,入选国家卓越法律人才教育培养计划、中西部高校基础能力建设工程、特色重点学科项目、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、全国深化创新创业教育改革示范高校、教育部来华留学示范基地,是世界翻译教育联盟、中俄新闻教育高校联盟、中俄综合性大学联盟、上海合作组织大学、“一带一路”智库合作联盟成员单位。
评价单位:“科创中国”黑龙江科技服务团 (黑龙江省科学技术协会)
评价时间:2023-11-07
综合评价
技术前景广阔,具备技术成果转移转化要求。
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