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用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路
发布时间: 2023-06-19
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
发明专利,新技术
行业领域：
电子信息技术
成果介绍
本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μn)‑1偏置电流产生电路、(μn)‑3(VTHn)‑2偏置电流产生电路及带隙基准核心电路。
成果亮点
本发明采用MOS管M7‑M8、MOS管M12‑M13及MOS管M10构成负反馈环路，采用MOS管M7‑M9构成正反馈环路，电阻R2和电容C2构成低通滤波器并降低正反馈环路增益，确保电路稳定；偏置电流产生电路为带隙基准核心电路提供偏置电流，产生具有温度高阶特性的电流IQ2，有效地补偿VEB1温度高阶非线性，从而获得高阶补偿的带隙基准参考电压，进而实现高阶温度补偿带隙基准电路。
团队介绍
周前能，田鑫，李红娟
成果资料
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