成果介绍
本实用新型公开了一种带阻扰孔的宽频带半导体双极化振子;通过优良的结构设计,创造性的将半导体运用到振子片上,将半导体结构与振子结合,通过不断的实验,设计长方形的金属振子片以及外围设有半导体圈,以及金属振子片上的结构设计,其辐射信号流在金属振子片流向长度和速度都得到较大改善,通过大量计算机软件的仿真得出其具有工作频带达到了3000MHz,完全满足4G对频率要求标准,相对带宽达到***%,且其具有良好的增益、前后比、交叉极化比特性。
成果亮点
本实用新型公开了一种带阻扰孔的宽频带半导体双极化振子;通过优良的结构设计,创造性的将半导体运用到振子片上,将半导体结构与振子结合,通过不断的实验,设计长方形的金属振子片以及外围设有半导体圈,以及金属振子片上的结构设计,其辐射信号流在金属振子片流向长度和速度都得到较大改善,通过大量计算机软件的仿真得出其具有工作频带达到了3000MHz,完全满足4G对频率要求标准,相对带宽达到***%,且其具有良好的增益、前后比、交叉极化比特性。
团队介绍
艾阳斌,叶巍,陶昕韵,皮艳秋,黄长虹
成果资料