成果介绍
一种提高LED光提取效率的激光深层结构,其自上而下依次包括:一SiO2层,一p-GaN层,一MQW层,一n-GaN层,一蓝宝石基底。其中,SiO2/p-GaN层和n-GaN/蓝宝石层表面设有经过图形制备的图形结构。本发明的一种提高LED光提取效率的激光深层结构,其通过在LED的正面和背面分别或同时进行图形化处理,并且采用脉冲激光,能有效的减少甚至是消除全发射,从而使LED的光提取效率提高。
成果亮点
本发明的一种提高LED光提取效率的激光深层结构,其通过在LED的正面和背面分别或同时进行图形化处理,并且采用脉冲激光,能有效的减少甚至是消除全发射,从而使LED的光提取效率提高。
团队介绍
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