成果介绍
本发明公开了一种宽温高磁导率低损耗MnZn功率铁氧体材料的制备方法,包括一次配料、一次球磨、预烧结、粉碎、二次配料、二次球磨、成型、烧结等步骤。本发明添加的ZrO2、Nb2O5、Pr2(CO3)3、Nd2O3、Sm2O3,具有细化晶粒的作用,促进晶粒细化均匀,阻止晶粒长大,从而形成晶粒细小均匀的显微结构,提高材料的起始磁导率和电阻率,降低材料的功率损耗;添加的V2O5、In2O3、Li2CO3,不仅可以提高材料的烧结密度,降低晶界和晶粒内气孔率,从而提高材料的起始磁导率,还可以有效抑制晶粒生长和吞并,促进晶粒细化和均匀,从而增加晶界,且晶界明显,提高材料的电阻率,降低材料的损耗;添加的CaCO3、NaHCO3、TeO2,可以在晶界形成高阻层,通过提高晶界电阻来改善损耗。
成果亮点
添加的V2O5、In2O3、Li2CO3,不仅可以提高材料的烧结密度,降低晶界和晶粒内气孔率,从而提高材料的起始磁导率,还可以有效抑制晶粒生长和吞并,促进晶粒细化和均匀,从而增加晶界,且晶界明显,提高材料的电阻率,降低材料的损耗;添加的CaCO3、NaHCO3、TeO2,可以在晶界形成高阻层,通过提高晶界电阻来改善损耗。
团队介绍
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成果资料