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铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池

发布时间: 2023-02-08

基本信息

合作方式: 技术服务
成果类型: 发明专利
行业领域:
新材料技术
成果介绍
一种铜锌锡锗硒薄膜,包括:入光层,包括第一入光面及与所述第一入光面相对的第一背光面,所述入光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第一入光面到所述第一背光面的方向逐渐降低;及背光层,包括与所述第一背光面相连的第二入光面及远离所述第一背光面的第二背光面,所述背光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第二入光面到所述第二背光面的方向逐渐升高;上述铜锌锡锗硒薄膜中,铜锌锡锗硒薄膜材料的禁带宽度呈先降后升的变化趋势,使光生电子-空穴对在高复合区域中分离,避免光生载流子之间的复合,提高对光生载流子的收集效率,进而提高了铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池的光电转换效率。同时还提供了一种铜锌锡锗硒薄膜的制备方法及使用该薄膜的太阳能电池。
成果亮点
一种铜锌锡锗硒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将衬底加热至450~600℃;采用蒸镀法或溅射法,分别产生铜蒸汽及锌蒸汽,并通过蒸镀法加热锡源、锗源及硒源,产生锡蒸汽、锗蒸汽及硒蒸汽,将所述铜蒸汽、锌蒸汽、锡蒸汽、锗蒸汽及硒蒸汽同时沉积在所述衬底上,从第二背光面开始生长所述铜锌锡锗硒薄膜,且在生长中的所述铜锌锡锗硒薄膜的薄膜表面呈富铜状态;调节所述锗源及所述锡源的加热温度,使所述锗蒸汽与所述锡蒸汽的摩尔比值随时间逐渐下降,直至背光层沉积形成完毕;停止输入所述铜蒸汽,并调节所述锗源及所述锡源的加热温度,使所述锗蒸汽与所述锡蒸汽的摩尔比值随时间逐渐上升;当沉积所得薄膜表面材料由富铜状态转变为贫铜状态时,停止输入所述锌蒸汽及所述锗蒸汽,并停止对所述衬底的加热,形成入光层;当所述衬底温度下降到420~480℃时,停止输入所述锡蒸汽;及当所述衬底温度下降到260~350℃时,停止输入所述硒蒸汽,制得铜锌锡锗硒薄膜。
团队介绍
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