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异质结双极晶体管 HBT外延片
发布时间: 2022-11-30
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新材料技术,新一代信息技术产业,高端装备制造产业,新材料产业
成果介绍
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好，适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
砷化镓(GaAs) HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
成果亮点
砷化镓(GaAs) HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
规格：AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
特点：HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：
高速，可以到100GHz
特征频率fT高；最高振荡频率fmax高；
厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；
基区穿通电压较高；当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应
团队介绍
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2023-10-19
胡荣杰
广东博士创新发展促进会
战略研究主任
综合评价
该科技成果一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管，阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好。具有较高的速率，可以到100GHz，当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应。该项目成果的思路方向很好，未来市场空间广阔，符合当前政策要求，转化成熟度很高，值得支持推广。
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