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激光二极管器件材料外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
发布时间: 2022-11-30
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新材料技术,新一代信息技术产业,高端装备制造产业,新材料产业
成果介绍
中科芯电半导体科技（北京）有限公司官网,中科芯电官网 ꄲ 产品技术 ꄲ 激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
激光二极管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（基于受激发射的光放大）"的首字母组成的缩写单词，激光二极管也被称为半导体激光器，通常简称为LD。
前一个： 赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片
后一个： 光电二极管器件材料（Photo-Diode）--砷化镓、磷化铟外延片
LD可产生波长及相位等性质完全一样的光，因此
成果亮点
镭射二极管(Laser Diode, LD)具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性,适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体，已大量应用于光通讯与光储存产业上，LD之发展颇被看好。
我司可生产的外延片红外波长为：
808nm：DPSS Nd：YAG 激光器中的 GaAlAs 泵浦（例如，在绿色激光指示器中或作为高功率激光器中的阵列）
848nm： 激光鼠标
980nm：用于光放大器的InGaAs泵浦，用于Yb：YAG DPSS激光器
1064 nm： AlGaAs 光纤通信，DPSS 激光泵浦频率
团队介绍
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2023-10-19
胡荣杰
广东博士创新发展促进会
战略研究主任
综合评价
该科技成果也被称为半导体激光器，通常简称为LD。红外波长为 808nm；DPSS Nd：YAG激光器中的 GaAlAs 泵浦（例如，在绿色激光指示器中或作为高功率激光器中的阵列）为 848nm；激光鼠标为980nm，用于光放大器的InGaAs泵浦，用于Yb：YAG DPSS激光器为1064 nm，AlGaAs 光纤通信，DPSS 激光泵浦频率。该项目成果的思路方向很好，未来市场空间广阔，符合当前政策要求，转化成熟度很高，值得支持推广。
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