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光电二极管器件材料--砷化镓、磷化铟外延片
发布时间: 2022-11-30
基本信息
合作方式：
技术许可
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新一代信息技术产业,高端装备制造产业
成果介绍
光电二极管（Photo-Diode）是一种将光能转换为电能（电压或电流）的光传感器。具有PN结的半导体器件。在p（正）层和n（负）层之间，存在本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。
它也被称为光电探测器、光电传感器或光探测器。光电二极管工作在反向偏置条件下，即光电二极管的p侧连接电池（或电源）的负极，n侧连接电池的正极。
光电二极管是一种快速、高线性度的器件，在应用中具有高量子效率，适合多种应用。
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质光电二极管，材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制：磷化铟、砷化镓基的光电二极管。ACS致力于为您制造适合的产品。
成果亮点
ACS运用各类先进技术研发和制造高品质光电二极管，材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制：磷化铟、砷化镓基的光电二极管。ACS致力于为您制造适合的产品。光电二极管（Photo-Diode）是一种将光能转换为电能（电压或电流）的光传感器。具有PN结的半导体器件。在p（正）层和n（负）层之间，存在本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。
它也被称为光电探测器、光电传感器或光探测器。光电二极管工作在反向偏置条件下，即光电二极管的p侧连接电池（或电源）的负极，n侧连接电池的正极。
光电二极管是一种快速、高线性度的器件，在应用中具有高量子效率，适合多种应用。
团队介绍
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2023-10-19
胡荣杰
广东博士创新发展促进会
战略研究主任
综合评价
该科技成果也被称为光电探测器、光电传感器或光探测器。运用各类先进技术研发和制造高品质光电二极管，材料与加工工艺可根据客户需求进行调整、定制。工作在反向偏置条件下，即光电二极管的p侧连接电池（或电源）的负极，n侧连接电池的正极。是一种将光能转换为电能（电压或电流）的光传感器。具有PN结的半导体器件。在p（正）层和n（负）层之间，存在本征层。该项目成果的思路方向很好，未来市场空间广阔，符合当前政策要求，转化成熟度很高，值得支持推广。
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