科创中国

激光器

本发明涉及半导体激光芯片技术领域，具体涉及一种相干阵激光器的无透镜聚焦装置及方法，包括：相干阵激光器、二元光学微结构基底和二元光学微结构；二元光学微结构通过二元光学微结构基底设置在相干阵激光器的输出端上，二元光学微结构的结构微元、二元光学微结构基底的结构微元基底和相干阵激光器的激光单元上下相对应，在相位调制结构阵列后得到聚焦光束。本发明利用二元光学微结构，使阵列光束产生相位延迟，实现无透镜聚焦效果；同时，本发明的二元光学微结构采用半导体工艺技术制备在芯片上，消除了传统透镜制造工艺复杂、尺寸大、重量大的局限以及外搭光路造成的误差；结构简洁，制备工艺简单便宜，实现方便。

本发明利用二元光学微结构，使阵列光束产生相位延迟，实现无透镜聚焦效果；同时，本发明的二元光学微结构采用半导体工艺技术制备在芯片上，消除了传统透镜制造工艺复杂、尺寸大、重量大的局限以及外搭光路造成的误差；结构简洁，制备工艺简单便宜，实现方便。

先进半导体光电技术研究所负责并参与完成了多项国际、国家、省部级和企业的重点项目，原创提出相干阵光学及相干阵激光原理与技术。领导技术团队在高功率半导体激光芯片、高效率砷化镓太阳能电池芯片、高功率蓝光半导体激光芯片、高功率光通讯、传感及特种应用VCSEL激光芯片等领域取得了重要技术突破：国际上率先将高功率半导体激光技术应用于JG领域；实现最高转换效率的高倍聚光太阳能光伏发电技术，并于2019年合并上市；研制完成出光功率达国际先进水平的高性能蓝光半导体激光芯片；在国内实现25G速率VCSEL，并应用于数据中心的光通信，达到了国际先进水平等。目前培养硕/博士研究生90余人，发表研究论文100余篇，获得专利100多项，实现专利转让和产业化80余项。带领团队获得国家科技进步奖一项，并获得北京市科技进步二等奖和三等奖各一项，国防科技进步二等奖和三等奖各一项。