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一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法
发布时间: 2022-11-09
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
发明专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明提供一种大面积水平耗尽型中子探测器及其制备方法。该中子探测器包括：基底；吸收层，位于基底上，吸收层由CuInSe2形成；CdS层，位于吸收层上并且与吸收层形成异质结，CdS层包括暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；ZnO层，位于CdS层上，并且包括与第一接触孔对应且暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；第一电极，与ZnO层接触；第二电极，通过第一接触孔和第二接触孔与吸收层接触，并且与第一电极隔开预定距离。本发明采用诸如CuInSe2/CdS半导体异质结层替代SiC来制备耐辐照的半导体中子探测器，一方面可以降低成本，另一方面可以克服大面积面阵型探测器制作上的难题。
成果亮点
一种大面积水平耗尽型中子探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
通过共蒸镀或者溅射-硒化在基底上形成吸收层，其中，吸收层由CuInSe2制成；
在吸收层上形成CdS层；
在CdS层上形成ZnO层；
在ZnO层的一部分上形成第一电极；
形成第二电极，第二电极与第一电极之间隔开预定距离，
其中，吸收层与CdS层形成异质结；
形成第二电极的步骤包括：
在ZnO层中形成暴露CdS层的至少一部分的第二接触孔；
在CdS层的第二接触孔暴露的部分中形成暴露吸收层的至少一部分的第一接触孔；
在吸收层的第一接触孔和第二接触孔暴露的部分上形成第二电极。
根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成第一电极的步骤包括：
在ZnO层上涂覆光刻胶；
对光刻胶进行曝光和显影，以暴露ZnO层的一部分；
在ZnO层的暴露的部分上形成第一电极。
团队介绍
中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力，推动我国自主知识产权新工业的建立，成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生态系统，由九个研究平台，国科大深圳先进技术学院，多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究，促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2022-12-29
吴正斌
天津中科先进技术产业有限公司
总经理
综合评价
这个企业已经有一定的基础，建议与相关学会组织搭建平台，请学会以及研究所、大学和相关企业参与，可能会攻克难关，会对我们国家甚至世界所存在问题提出解决的措施并做出贡献，前途可期。
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