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氮化镓（GaN）电源设计
发布时间: 2022-11-07
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新材料技术,新一代信息技术产业,新材料产业,新型电子元器件,电子核心产业,新兴软件和新型信息技术服务
成果介绍
电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
氮化镓相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。
这首先体现了低损耗和高开关频率，低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。
成果亮点
氮化镓场效应晶体管具备极低的开关品质因数和非常快速的开关转换，实现高开关频率时的低损耗和高效率功率转换，能够以较低的系统成本，实现更小、更快、散热性能更优、更轻便的系统。
与硅驱动方案兼容，更高的电压，更好的导电能力，更小的体积，更好的温度控制，更高的效率，更低的能耗，抗辐照等特殊应用
氮化镓相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。
这首先体现了低损耗和高开关频率，低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。
团队介绍
润新微电子(大连)有限公司是华润微电子旗下专注第三代半导体材料和电子元器件技术开发及产品应用的半导体高新技术企业。前身大连芯冠科技有限公司，由海外归国团队2016年3月17日创立于大连高新区。
成果资料
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