科创中国
碳纳米管芯片技术
发布时间: 2022-10-14
基本信息
合作方式：
合作开发
成果类型：
发明专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
芯片是信息科技的基础与推动力。然而，现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限，碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管，碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。IBM的理论计算表明，若完全按照现有二维平面框架设计，碳纳米管技术相较硅基技术具有15代、至少30年以上的优势。此外，Stanford大学的系统层面的模拟表明，碳纳米管技术还有望将常规的二维硅基芯片技术发展成为三维芯片技术，将目前的芯片综合性能提升1000倍以上，从而将物联网、大数据、人工智能等未来技术提升到一个全新高度
成果亮点
可用于计算机及智能手机芯片、新一代柔性集成电路、医用可穿戴传感器、显示屏驱动器、军用抗辐照芯片等。团队针对功耗已经成为当今集成电路的发展的瓶颈现状，重新审视了传统晶体管功耗的物理极限，提出并制备了一种新型超低功耗晶体管—狄拉克源晶体管（Science 2018，361：387），该技术采用具有特定掺杂的狄拉克半金属（石墨烯）作为源端，实现了超越常规金属和半导体的“冷”电子源，大幅降低了传统晶体管工作所需驱动电压，为超低功耗纳米电子学的发展奠定了基础，极大推进了碳纳米管集成电路的竞争力和实用化发展。
团队介绍
北京大学科技开发部是学校主管横向科研及成果转化工作的职能部门
成果资料
产业化落地方案
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