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部分超结器件最低比导通电阻全域优化模型与新结构研究

发布时间: 2022-10-13

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利,新技术
行业领域：
电子信息技术,新型电子元器件,半导体功率器件
成果介绍
本成果建立部分超结二维势场模型、提出 Double R-well 最低比导通电阻优化法，提出基于泰勒级数法的部分超结势场解析模型，深究双电荷场调制机理，通过对部分超结结构 Buffer 区的局域优化以及整个器件的全域优化两个步骤，实现全域最低 Ron，并采用寻优算法获得器件参数精确设计式，用于指导高压部分超结器件新结构。
成果亮点
（1）提出部分超结耐压层二维势场分布模型，将耐压层中超结区和非超结区电离电荷产生电场视为双电荷场，首次在部分超结研究中采用泰勒级数法简化求解二维泊松方程，获得二维势场分布，揭示双电荷场调制机理； （2）建立双比导通电阻阱Double R-well全域优化法，通过比导通电阻的局域优化和整个器件比导通电阻的全域优化，获得任意给定条件下部分超结器件最低比导通电阻； （3）采用最小二乘法非线性拟合获得部分超结器件统一解析设计式，并用于指导新结构设计。
团队介绍
团队包括8名教授、10名副教授、2名助理教授、2名讲师、1名助理研究员及百余名在读研究生，该团队长期专注于功率半导体技术研究，开展了功率半导体分立器件、功率集成电路研究。在功率半导体分立器件领域，开展了IGBT 研究、VDMOS 器件研制、抗核加固 VDMOS 器件研制、特种双极功率器件研制、SiC 功率器件研究、SOI RF LDMOS 器件研究等。在功率集成电路领域，分别在硅基和SOI基开展研究，开展了高压BCD兼容工艺，高低压隔离、高压器件建模、高压IP、高压器件可靠性、可集成功率器件、高压集成电路、电源管理集成电路和单片功率系统的研究。
成果资料