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高新技术改造传统产业

本发明公开了一种相变存储器单元高速擦写测试系统，该系统包括皮秒脉冲发生器、半导体特性测试仪、数字实时取样示波器、有源探头和测试电路板；也可以采用射频探针台代替测试电路板。皮秒脉冲发生器可以产生脉冲宽度极窄的电压脉冲，整个系统带宽高，测试程序可以控制皮秒脉冲发生器产生脉冲宽度在0.2ns-10ns间的准连续脉冲序列，因此系统可以通过改变擦写脉冲宽度扫描测量相变存储器单元阵列的高速擦写脉冲宽度范围。总之，本发明测试系统可以对相变存储器单元阵列进行高速擦写测试，它具有带宽高、损耗低的优点。

随着各种电子设备工作速度的不断提高，存储器的擦写速度成为了制约系统工作速度继续提高的瓶颈。擦写速度快是相变存储器相对于闪存(Flash drive)的一大优点，闪存的擦写时间为微秒级，相变存储器的擦写时间的典型范围为10ns-500ns，优化实验条件后，其擦写时间可以小于10纳秒。目前制约相变存储器大规模应用的一个技术上的约束是处于活动状态的单元会传导热量给相邻的单元，相邻的单元的存储状态会收到扰动，这就必须给相邻的单元留有充分的安全距离，因而单元阵列的集成度会受到影响，而在使用很短的擦写脉冲时，由于脉冲作用时间短，热量累积也较少，处于活动状态的单元对邻近单元造成的扰动会大大降低，可以显著提升单元阵列的集成度。传统的相变存储器单元擦写特性测试方案的信号源带宽、传输通道带宽不能满足高速脉冲信号的产生和传输要求，无法对单元实现高速脉冲擦写(如10ns以内的短电压脉冲)。基于上述考虑，本发明拟提出一套相变存储器单元高速擦写测试系统。本发明提供一种相变存储器单元擦写测试系统，该系统具有带宽高和损耗低的优点。

缪向水，男，1965年7月生，江西九江人。1986年、1989年、1996年获华中科技大学（原华中理工大学）工学学士、硕士、博士学位。 华中科技大学集成电路学院院长 [11] 、武汉国际微电子学院院长 [12] 、光学与电子信息学院副院长 [2] ，信息存储材料及器件研究所所长 [3] 。武汉集成电路技术及产业服务中心主任 [10] ，武汉新芯集成电路制造有限公司首席科学家。国务院享受政府特殊津贴专家 [1] ，华中科技大学校学术委员会委员 [4] 。中国仪表功能材料学会副理事长 [5] ，中国微米纳米学会常务理事 [6] ，中国真空学会理事 [14] 。曾荣获新加坡国家技术奖1项 [7] 、中国国家科技进步奖2项