一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法

发布时间: 2022-10-12

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式：技术转让

成果类型：发明专利

行业领域：

高新技术改造传统产业

成果介绍

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法；栅电极包括n个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离。

成果亮点

为了满足高效及廉价的微电子产业的发展，半导体存储器需要具有更高的集成密度。高密度对于半导体产品成本的降低至关重要。对于传统的二维及平面半导体存储器，它们的集成密度主要取决于单个存储器件所占的单位面积，集成度非常依赖于掩膜工艺的好坏。但是，即使不断用昂贵的工艺设备来提高掩膜工艺精度，集成密度的提升依旧是非常有限的。尤其是随着摩尔定律的发展，在22nm工艺节点以下，平面半导体存储器面临各类尺寸效应，散热等问题，亟需解决。针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法，旨在解决现有技术中的存储单元的存在串扰的问题。本发明属于微电子器件技术领域，更具体地，涉及一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法。

团队介绍

缪向水，男，1965年7月生，江西九江人。1986年、1989年、1996年获华中科技大学（原华中理工大学）工学学士、硕士、博士学位。华中科技大学集成电路学院院长 [11] 、武汉国际微电子学院院长 [12] 、光学与电子信息学院副院长 [2] ，信息存储材料及器件研究所所长 [3] 。武汉集成电路技术及产业服务中心主任 [10] ，武汉新芯集成电路制造有限公司首席科学家。国务院享受政府特殊津贴专家 [1] ，华中科技大学校学术委员会委员 [4] 。中国仪表功能材料学会副理事长 [5] ，中国微米纳米学会常务理事 [6] ，中国真空学会理事 [14] 。曾荣获新加坡国家技术奖1项 [7] 、中国国家科技进步奖2项

成果资料

成果综合评价报告

评价单位：- (-) 评价时间：2022-10-26

李海鹏

中国矿业大学材料与物理学院

教授

综合评价

该成果通过主体上与BiCS结构的三维存储结构对应，可以较好的避免NAND存储串扰问题，栅电极阶梯排布方向可以有效的减少三维 NAND的整体面积，从而提高存储密度，解决了在22nm工艺节点以下，平面半导体存储器面临各类尺寸效应，散热等问题，大大减少了工艺流程中引入的损害，提高了存储器的成品率，技术创新性很强，且技术成熟，投资回报比较可靠。

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