科创中国
一种CMOS像素传感器
发布时间: 2022-10-09
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术,新型电子元器件
成果介绍
本发明提出的CMOS像素传感器采用高阻外延层，能够增加二极管耗尽区宽度，缩短了电荷收集时间，提高了电荷收集效率，采用深N阱作为二极管阴极端，P型高阻外延层作为二极管阳极端，并在整个像素单元内布满深N阱，即二极管面积等同于像素单元面积，大大增加了二极管收集面积，降低了电荷复合率，增加了电荷收集数量，即提高了电荷收集效率。
成果亮点
CMOS像素传感器中的像素采用小面积二极管收集电荷，二极管面积在像素单元中的比例较小，导致电荷在收集过程中被复合，电荷收集时间较长、收集效率较低。本发明提供一种CMOS像素传感器及像素单元，该装置能够有效缩短电荷收集时间，提高了收集效率和灵敏度。
团队介绍
张亮，工学博士，副教授、博士生导师。研究领域包括数模混合集成电路、人工智能、硅传感器以及X射线成像技术。主持国家及省部级项目7项，参加国家级重点项目2项。在IEEE Transactions on Nuclear Science，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A，Journal of Instrumentation，IEEE Access等权威SCI期刊发表论文20余篇。授权专利4项。
成果资料
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