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基于 Mos2 -BN-Graphene 范德华异质结的多功能半浮栅晶体管

发布时间: 2022-09-23

来源: 试点城市(园区)

基本信息

合作方式: 技术转让
成果类型: 发明专利
行业领域:
电子信息技术
成果介绍
传统硅器件通过缩小尺寸 ,提高集成度来提高性能已接近极限 ,通过多功能器件拓展器件性能是 集成电路发展的重要路径·多功能半浮栅晶体管可以实现运算、存储和整流三种不同的功能 ,是后摩 尔时代集成电路原型器件一种探索· 团队开展基于 Mos2 -BN-Graphene 范德华异质结的多功能半浮栅晶体管的研究·该半浮栅器件 可 以 实 现 运 算 、 存 储 和 整 流 三 种 不 同 的 功 能 · 研 究 团 队 利 用 干 法 定 点 转 移 的 工 艺 , 制 备 了 Mos2 -BN-Graphene 范德华异质结 ,同时参考传统硅基半导体器件的工艺及原理 ,设计制备出来了半 浮栅器件 (HFG-FET ) ·这种器件可以实现三种不同器件的功能 :作为场效应晶体管 (MOsFET ) 可 以用于逻辑运算 ;作为非易失性存储器 (FG-MOsFET ) 可以实现数据的存储 ,数据可以保持 10 年 , 存储开关比为 103 ;作为二极管也可以实现整流的功能 ,整流比高达 103 ,该值可由不同的 Vcg 进一 步调制·
成果亮点
研究团体设计并制备了具有范德华异质结构的半浮栅晶体管 ,成功的将场效应晶体管、非易失性 存储器 (FG-MOsFET ) 和二极管集成在单一的器件中·这种多功能半浮栅器件不仅可以在逻辑运算、 数据存储、整流器开关等方面有潜在的应用·更重要的是 , "存算一体" 是多功能器件的一个具体的 发展方向·传统冯诺依曼架构的计算机 , 由于计算和存储单元分离 ,其运输速率和能耗存在瓶颈·我 们设计的半浮栅器件作为同时具有计算和存储功能的结构单元 ,可能为突破冯诺依曼架构的下一代计 算机设计铺平道路·
团队介绍
南京大学紧密围绕"四个面向"的科研工作要求,积极融入地方经济建设和社会发展事业,大力推 动科技成果转化,自觉履行高水平科技自立自强的使命担当。2020年以来,南京大学先后入选首批国家 知识产权示范高校、高校专业化国家技术转移机构建设试点单位和科技成果赋权试点高校。 南京大学科研基础雄厚,16个学科入选"双一流"建设名单。学校拥有两院院士33人、国家实验室 (筹)1个、国家重点实验室7个、国家工程技术研究中心1个。南京大学依托雄厚的基础研究力量和多学科的综合优势,遵循"(基础研究→创造技术) →成果转化"的全链条科研指导思想,取得了众多拥有 自主知识产权的科研成果。
成果资料