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高密度、可擦写极性拓扑结构能够被成功集成在硅基片上 ,并且经过光刻流程后仍能稳定存在 , 初步展现了将丰富的氧化物极性拓扑结构与传统半导体工艺相结合以开发新型低能耗、高性能电子器 件的可能性· 近年来 ,人们已经从理论和实验上报道了钙钛矿氧化物铁电薄膜、超晶格等体系中存在诸多新奇 的非平庸极性拓扑畴结构 ,并表现出奇异的物理特性 (如导电性增强、负电容等 ) ,有望用于开发新 型铁电晶体管及存储器等器件·但高质量钙钛矿氧化物薄膜材料的制备与当前成熟的互补金属氧化物 半导体工艺 (CMOs ) 缺乏兼容性 ,难以将各种极性拓扑畴结构应用于新一代电子器件中·

团队将钙钛矿氧化物铁电/介电自支撑双层结构与硅基片进行集成 ,获得了高密度的铁电拓扑纳米 畴 ( ~ 200 Gbit/inch2 ) ,并实现其阻态在外电场下的可逆调控·高密度、可擦写铁电拓扑纳米畴与 硅基片的成功集成展示了新奇氧化物极性拓扑结构在新型高密度非易失性存储器中的广阔应用前景· PTO20/sTO10 双层膜中高密度铁电纳米畴的实现·(a )自支撑双层膜中铁电纳米畴示意图·(b ) 自支撑双层膜的 AFM 形貌、VPFM 振幅、VPFM 相位、 LPFM 振幅和 LPFM 相位图· (c ) 中心发散 和 (d ) 中心会聚型纳米畴的放大图

南京大学紧密围绕"四个面向"的科研工作要求,积极融入地方经济建设和社会发展事业,大力推 动科技成果转化,自觉履行高水平科技自立自强的使命担当。2020年以来,南京大学先后入选首批国家 知识产权示范高校、高校专业化国家技术转移机构建设试点单位和科技成果赋权试点高校。 南京大学科研基础雄厚,16个学科入选"双一流"建设名单。学校拥有两院院士33人、国家实验室 (筹)1个、国家重点实验室7个、国家工程技术研究中心1个。南京大学依托雄厚的基础研究力量和多学科的综合优势,遵循"(基础研究→创造技术) →成果转化"的全链条科研指导思想,取得了众多拥有 自主知识产权的科研成果。