成果介绍
本课题属武汉市科技攻关项目。本项目是针对目前我国面临的能源危机和环境保护的热门研究领域,深入研究在普通平板玻璃上制备a-Si、poly-Si薄膜太阳能电池。该项目的研究对发展新的环境协调型材料和生态建筑材料、保护环境和实现可持续发展具有重要意义。将有力地推动我国光伏产业的极大发展,有助于传统建筑材料结构调整与升级,光伏产业和社会的可持续发展。
成果亮点
本研究报告的其主要研究结果和创新点如下:(1)制备出满足工艺一致性和整体性要求的SnO2:F、ITO、ZnO:Al等透明导电氧化物薄膜。(2)利用磁控溅射镀膜设备沉积硅薄膜太阳能电池的本征层,其薄膜的沉积速率是常规PECVD法的10倍。(3)采用射频PECVD法在100~500Pa的沉积压力下沉积氢化纳米硅薄膜,晶化率达5~68%、沉积速率可达30nm/min。(4)采用金属铝诱导和电场辅助的金属铝诱导晶化的方法制备出poly-Si薄膜,实现了a-Si薄膜的快速晶化。(5)采用化学法制备金属诱导晶化多晶硅的Ni源,制备出金属诱导横向晶化多晶硅薄膜,多晶硅横向生长距离可达5mm。(6)在a-Si薄膜制备的基础上研究了pin型a-Si薄膜太阳能电池制备的工艺条件,成功地制备出pin型a-Si薄膜太阳电池原型器件,样品大小为40mm×40mm的硅薄膜太阳能电池效率达到10%,为进一步研制高性能a-Si薄膜太阳能电池打下了良好的基础。
团队介绍
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成果资料