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一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法

发布时间: 2022-07-03

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术服务
成果类型： 实用新型专利
行业领域：
生物产业,制造业
成果介绍

本发明公开了一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法,属于纳米材料领域。在真空条件下,交替将气化后的Sb源SbCl3与氧源水以脉冲形式通入提前放入衬底的原子层沉积(ALD)设备反应腔,交替脉冲模式为:SbCl3脉冲t1→清洗t2→水脉冲t3→清洗t4,以此模式完成单个生长循环;在特定沉积温度下,重复若干单个生长循环即可得到生长有SbOCl材料的沉底。本发明采用SbCl3与氧源水的组合,将其进一步应用在原子层沉积技术中,使其能够在多种衬底上沉积负载量、原子活性位点分布可控的具有光催化性能的SbOCl材料。

成果亮点
团队介绍
成果资料
成果综合评价报告

评价单位：- (-) 评价时间：2022-09-25

腾跃

江南大学

副教授

综合评价

此发明公开了一种基于ALD技术的SbOCl材料的制备方法，属于纳米材料领域。此中材料能够在多种衬底上沉积负载量、原子活性位点分布可控的具有光催化性能的 SbOCl材料。
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