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局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法
发布时间: 2022-06-30
基本信息
合作方式：
技术咨询
成果类型：
发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍
本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，通过在开口的侧壁上形成含氮材料层以阻挡氧的横向扩散，大大降低了横向扩散至鸟嘴区域的氧含量，使得所形成的局部氧化物层其鸟嘴的尺寸得以缩减。主权利要求: 1.一种局部氧化物层的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次形成前置氧化物层和氮化物层；刻蚀所述氮化物层和所述前置氧化物层以形成开口，所述开口暴露出衬底；在所述开口的侧壁上形成含氮材料层，所述含氮材料层至少覆盖所述前置氧化物层对应在所述开口内的侧壁，其中所述含氮材料层的形成方法包括：形成初始材料层，所述初始材料层覆盖所述开口的底部和侧壁；执行倾斜离子注入工艺，以对所述初始材料层中覆盖开口侧壁的部分注入氮离子形成所述含氮材料层；以及，执行氧化工艺，以在所述开口中形成局部氧化物层。 本发明提供了一种局部氧化物层的制备方法、半导体器件的制备方法。在局部氧化物层的制备方法中，通过在开口的侧壁上形成含氮材料层以阻挡氧的横向扩散，大大降低了横向扩散至鸟嘴区域的氧含量，使得所形成的局部氧化物层其鸟嘴的尺寸得以缩减。主权利要求: 1.一种局部氧化物层的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次形成前置氧化物层和氮化物层；刻蚀所述氮化物层和所述前置氧化物层以形成开口，所述开口暴露出衬底；在所述开口的侧壁上形成含氮材料层，所述含氮材料层至少覆盖所述前置氧化物层对应在所述开口内的侧壁，其中所述含氮材料层的形成方法包括：形成初始材料层，所述初始材料层覆盖所述开口的底部和侧壁；执行倾斜离子注入工艺，以对所述初始材料层中覆盖开口侧壁的部分注入氮离子形成所述含氮材料层；以及，执行氧化工艺，以在所述开口中形成局部氧化物层。
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