一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法

本发明公开了一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法,属于纳米材料领域,将衬底置于反应腔,在真空下,以式1所示结构的化合物为Ni前驱体,以甲酸、乙酸、丙酸、丁酸中的一种或几种为碳源;以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni前驱体,得到沉积有Ni前驱体的衬底;然后充入惰性气体进行吹扫后,将气相碳源以脉冲形式通入反应腔,与沉积在衬底上的Ni前驱体进行反应,得到含单原子层NixC薄膜的衬底;再向充入惰性气体清洗;重复上述ALD生长循环多次,即可得到生长NixC薄膜的衬底。本发明沉积速率高,沉积速率可达***循环,且本发明所制备的NixC薄膜的电阻率低。