金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法
发布时间: 2022-06-21
基本信息
本发明提供一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构,包括下电极、介质层、界面层以及上电极;介质层形成于下电极上;上电极形成于介质层上;界面层形成于介质层与上电极之间,和/或,界面层形成于介质层与下电极之间;其中,下电极包括互连金属层及金属阻挡层,金属阻挡层位于互连金属层与介质层之间,金属阻挡层的厚度大于400埃,界面层的粗糙度小于金属阻挡层面向介质层的表面的粗糙度,界面层的介电常数大于介质层的介电常数。本发明中,通过增厚下电极中的金属阻挡层的厚度,及增设界面层覆盖金属阻挡层和/或介质层的上表面,用以光滑下电极的表面,从而提高其击穿电压,并利用第二介电常数大于第一介电常数,以提高其电容值。
主权利要求: 1.一种金属-绝缘体-金属电容器结构,包括衬底以及形成于所述衬底上的金属-绝缘体-金属电容器,其特征在于,所述金属-绝缘体-金属电容器包括下电极、介质层、上电极以及界面层;所述介质层形成于所述下电极上;所述上电极形成于所述介质层上;所述界面层形成于所述介质层与所述上电极之间;其中,所述下电极包括互连金属层及金属阻挡层,所述金属阻挡层位于所述互连金属层与所述介质层之间,所述金属阻挡层的厚度大于400埃,所述界面层的粗糙度小于所述金属阻挡层面向所述介质层的表面的粗糙度,所述界面层的介电常数大于所述介质层的介电常数。