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改善热载流子注入的NMOS的形成方法

发布时间: 2022-06-21

基本信息

合作方式： 技术咨询
成果类型： 发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍

本发明提供了一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成P型阱区；在P型阱区上形成栅极以及位于栅极两侧的侧墙；以侧墙为掩膜，向栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；以侧墙为掩膜，分别向源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以侧墙为掩膜，向源区和LDD区之间的P型阱区以及在漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区。形成P型离子区可以缓冲源区或漏区到LDD的浓度梯度，以改善热载流子的注入，同时，本发明的LDD区可以选择使用源区和漏区的光罩跟着源区和漏区一起形成，减少了形成LDD区的光罩，节约成本。

主权利要求: 1.一种改善热载流子注入的NMOS的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内形成P型阱区；在所述P型阱区上形成栅极以及位于所述栅极两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜，向所述栅极的两侧的P型阱区内进行N型离子注入，以分别形成源区和漏区；以所述侧墙为掩膜，分别向所述源区和漏区下方的P型阱区进行N型离子注入，以形成LDD区；以及以所述侧墙为掩膜，向所述源区和LDD区之间的P型阱区以及在所述漏区和LDD区之间的P型阱区进行P型离子注入，以形成P型离子区；形成所述LDD区的离子的注入剂量和注入角度均小于形成所述源区和漏区的离子的注入剂量和注入角度；形成所述P型离子区的离子的注入剂量和注入角度均小于形成所述源区和漏区的离子的注入剂量和注入角度；形成所述P型离子区的离子的注入剂量和注入角度均大于形成所述LDD区的离子的注入剂量和注入角度；所述注入角度是与衬底的表面的夹角。

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