科创中国
非易失性闪存存储器及其擦除方法
发布时间: 2022-06-21
基本信息
合作方式：
技术咨询
成果类型：
发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍
本发明提供一种非易失性闪存存储器及其擦除方法，所述非易失性闪存存储器包括高压器件，所述高压器件包括形成于外围区的衬底中的第一掺杂区、被所述第一掺杂区包围的第一隔离结构、第二掺杂区和被所述第二掺杂区包围的第二隔离结构，所述第一掺杂区和所述第一隔离结构相结合，以及所述第二掺杂区与所述第二隔离结构相结合，均可起到阻挡电压的作用，由此可承受较高的电压，从而提高所述高压器件的击穿电压。由此在对非易失性闪存存储器进行擦除时，可提高施加在未被选择的扇区的字线结构上的电压，从而可降低施加在源线结构上的电压与施加所述字线结构上的电压之间的压差，进而可避免未被选择的扇区出现被动擦除的问题。
主权利要求: 1.一种非易失性闪存存储器，其特征在于，包括：衬底，具有存储区和外围区；至少两个扇区，每个所述扇区包括形成于所述存储区的所述衬底中的第一阱区、与所述第一阱区对准并呈阵列排布的多个存储单元以及分别与所述多个存储单元电连接的字线结构和源线结构；外围驱动单元，用于对所有的所述扇区的所述第一阱区、所述源线结构和所述字线结构施加电压，所述外围驱动单元包括至少两个高压器件，一个所述高压器件与一个所述扇区的字线结构电连接以控制施加在所述字线结构上的电压，其中，每个所述高压器件包括：形成于所述外围区的所述衬底上的高压栅极；第一源极区和第一漏极区，分别形成于所述高压栅极两侧的所述外围区的所述衬底中；第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构形成于所述第一源极区与所述高压栅极之间的所述外围区的所述衬底中，所述第二隔离结构形成于所述第一漏极区与所述高压栅极之间的所述外围区的所述衬底中；第一掺杂区和第二掺杂区，分别形成于所述高压栅极两侧的所述外围区的所述衬底中，所述第一源极区和所述第一隔离结构位于所述第一掺杂区中，所述第一漏极区和所述第二隔离结构位于所述第二掺杂区中。
成果亮点
团队介绍
成果资料
下载app