科创中国
半导体器件的制造方法
发布时间: 2022-06-21
基本信息
合作方式：
技术咨询
成果类型：
发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍
本发明提供一种半导体器件的制造方法，在执行第三等离子体刻蚀工艺以刻蚀氮氧化层与氮化层之前，先执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除部分厚度的氮氧化层，可以减少氮氧化层与氮化层的总厚度，后续执行第三等离子体刻蚀工艺时，可以减少氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间，由此避免因图形化的光刻胶层返工造成的氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间超出预定的刻蚀时间，从而解决因机台停机而造成的器件良率低的问题。
主权利要求: 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有介质层、氮化层以及待去除的图形化的第一光刻胶层；执行第一等离子体刻蚀工艺，以去除所述图形化的第一光刻胶层，其中，所述第一等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括氧气，以及在执行所述第一等离子体刻蚀工艺中，所述图形化的第一光刻胶层底部部分厚度的所述氮化层被氧化而形成氮氧化层；在所述氮氧化层上形成图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层具有一光刻胶开口，所述光刻胶开口底部暴露出部分所述氮氧化层；执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除所述光刻胶开口底部部分厚度的所述氮氧化层，其中，执行所述第二等离子刻蚀工艺的方法包括：测量所述氮氧化层的厚度以及剩余的氮化层的厚度；所述氮氧化层的厚度以及剩余的氮化层的厚度预定所述第二等离子刻蚀工艺的时间；利用预定的所述第二等离子体刻蚀工艺的刻蚀时间，对所述光刻胶开口底部部分厚度的所述氮氧化层进行刻蚀；以及，执行第三等离子体刻蚀工艺，以去除所述光刻胶开口底部剩余的所述氮氧化层及所述氮化层；其中，所述第二等离子体刻蚀工艺对所述氮氧化层的刻蚀速率大于或者等于所述第三等离子体刻蚀工艺对所述氮化层的刻蚀速率，以及在执行所述第三等离子体刻蚀工艺的过程中，通过光学检测确定刻蚀终点以使刻蚀停止在所述介质层表面。
成果亮点
团队介绍
成果资料
下载app