金属电容结构及其制备方法

本发明提供了一种金属电容结构及其制备方法，包括：基底；电容结构，包括依次堆叠于所述基底上的底层金属层、第一层间介质层、中间金属层、第二层间介质层及顶层金属层；若干第一开口，位于所述顶层金属层内，并露出所述第二层间介质层的表面；若干第二开口，从部分所述第一开口的底部向下贯穿所述第二层间介质层及所述中间金属层直至露出所述第一层间介质层的表面。本发明增大了金属电容结构的电容值及减小了金属电容结构的厚度。

主权利要求: 1.一种金属电容结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上由下至上依次形成堆叠的底层金属层、第一层间介质层、中间金属层、第二层间介质层、顶层金属层及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口；以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述顶层金属层以形成第一开口，所述第一开口的横向宽度大于所述开口的横向宽度，所述第一开口露出所述第二层间介质层的表面；沿着部分所述第一开口向下依次刻蚀所述第二层间介质层及所述中间金属层以形成第二开口，所述第二开口露出所述第一层间介质层的表面；以及，去除所述图形化的光刻胶层。