栅介质层的厚度的监控方法

本发明提供了一种栅介质层的厚度的监控方法，提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度，其中，所述测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟。本发明中，通过以最先移入晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，并且该测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟，使得测试晶圆上的氮氧化硅栅介质层的厚度均处于缓慢增长的阶段，减少测试晶圆上的氮氧化硅栅介质层的厚度受外界的影响，从而提高测量栅介质层的厚度的稳定性及准确性。

主权利要求: 1.一种栅介质层的厚度的监控方法，其特征在于，包括：提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度，其中，所述测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟。