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半导体器件的缺陷检测方法、装置及电子设备

发布时间: 2022-06-20

基本信息

合作方式： 技术咨询
成果类型： 发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍

本发明提供了一种半导体器件的缺陷检测方法、装置及电子设备，应用于半导体领域。由于本发明实施例中提供的缺陷检测方法将两个光源之间的距离设置为预设固定距离，之后再按所述预设固定距离为移动步长移动所述载物台，从而实现无论所述载物台的移动误差多大，两个间距不变的光源照射在两个待检测芯片上的检测光束永远在该两个待检测芯片的相同位置处，即，两个光源得到的微观图形总是一样的，得到的反射信号也会一样，因此，同步对比这两个光源的得到的信号差异就可以用来确认待检测芯片是否存在表面缺陷。

主权利要求: 1.一种半导体器件的缺陷检测方法，基于光学检测设备进行检测，所述光学检测设备包括载物台、脉冲光束发射系统和反射信号接收系统，其特征在于，所述脉冲光束发射系统包括两个光源，所述缺陷检测方法包括如下步骤：步骤S1，在所述载物台上放置一晶圆，所述晶圆包含多个待检测芯片，所述多个待检测芯片均是一样的，每个所述待检测芯片上均形成有相同数目和种类的半导体结构；步骤S2，调整所述两个光源之间的距离，以使两个光源同步发射在所述晶圆上的两束检测光束落在两个待检测芯片的相同位置处，其中，调整后的两个光源的距离为单个所述待检测芯片尺寸的整数倍；步骤S3，控制所述调整后的两个光源同步发射检测光束，并利用反射信号接收系统接收所述检测光束经所述两个待检测芯片反射后分别形成的反射信号；步骤S4，对比所述两个待检测芯片的相同位置处的反射信号，以对所述两个待检测芯片的相同位置表面缺陷进行检测；步骤S5，移动所述载物台，直至检测完所述晶圆所包含的所有待检测芯片的表面缺陷；在所述步骤S4中，对比所述两个待检测芯片的相同位置处的反射信号，以对所述两个待检测芯片的相同位置表面缺陷进行检测的步骤，包括：判断所述两个待检测芯片的相同位置处的反射信号是否相同；若判断结果为是，则确定所述两个待检测芯片的该相同位置均未存在表面缺陷；若判断结果为否，则以所述调整后的两个光源之间的距离为移动步长，移动所述载物台，并执行所述步骤S3以得到所述载物台移动后对应的两个待检测芯片的相同位置处的反射信号，其中，所述载物台移动后对应的两个待检测芯片中包含所述载物台移动前对应的一待检测芯片；判断所述载物台移动后对应的两个待检测芯片的相同位置处的反射信号是否相同；若判断结果为是，则确定所述载物台移动前后分别对应的两个待检测芯片中的共同待检测芯片未存在表面缺陷，而所述载物台移动前的另一待检测芯片的相同位置存在表面缺陷。

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